サムスンは2-D NANDの生産を停止し、工場をHBM4製造へ転換します。

サムスンは2-D NANDフラッシュメモリの製造を停止し、工場をHBM4に再編成します。

今年、サムスンは2-D NANDフラッシュメモリの完全廃止を発表しました。残りのラインは、AIの急速な拡大で需要が高まっているHBM4メモリ製造へと転換されます。

ハヴァソン工場では何が起きているか
*The Elec Korea* の報道によると、サムスンはハヴァソンにある2-D NANDの生産を閉鎖する計画です。ラインを完全に廃止する代わりに、DRAMのメタライゼーション（チップ内のセルを結ぶ配線を施すプロセス）用に改装します。

- ライン12の容量は月80,000〜100,000枚の12インチシート
- これらのシートはかつて2-D NANDフラッシュ専用でしたが、3-D NAND登場で技術的に時代遅れになりました

現在、このラインではHBM4に使用される第6世代（10nm）DRAMを製造します。サムスンは、平田のライン3・4と合わせて月間総生産量が第二四半期末までに約200,000枚になると予測しています。

2-D NANDが廃止される理由
2-D NANDメモリは1990年代後半に初登場しました。近年、メーカーは徐々に3-D NANDへ移行し、容量・信頼性・速度の面で大きな優位性を持つためです。

サムスンの計画では、2-D NANDの最終廃止は3月に予定されています。その後、工場はHBM4などの最新技術へ完全移行し、高性能コンピューティングシステムやAIアプリケーションで需要が高い製品を提供します。