インテルはソフトバンクと協力して、2029年までにHBMメモリの代替品を導入する計画です

ソフトバンクとインテルは、2029年までに新しいメモリ「Z‑Angle Memory（ZAM）」を市場に投入する計画です。

実施責任者：ソフトバンクは子会社Saimemoryを通じて開発・販売を担当し、インテルは製造技術とパッケージングを提供します。他社として日本の富士通もプロジェクトに参加しています。

Z‑Angle Memoryが必要な理由
* 現行HBMの問題点：
- 非常に高価でエネルギー消費が大きい。
- HBMの生産量増加に伴い、従来型DRAMはリソース不足に直面する。

* Z‑AMの目的は、より経済的かつ省エネルギーな代替品を提供しながら、高密度データ保持を維持することです。

技術仕様
| パラメータ | 説明 |
|---|---|
| 構造 | HBMに似た複数層のチップスタックですが、より高度なパッケージング手法とアーキテクチャを採用。 |
| 密度 | スタック単位容量がHBMの2〜3倍。 |
| エネルギー消費 | HBMに比べ約半分に削減。 |
| 製造コスト | 現行価格を維持するか、最大40％まで低減される見込み。 |

パッケージング技術
* インテルはNGDB（Next‑Generation Die Bonding）技術を提供し、ZAMのエネルギー効率をHBMより向上させます。
* プロトタイプでは既に基礎クリスタル上に8層DRAMが実装されています。

発売計画
1. 中間プロトタイプ – 2028年3月末までにデモ。
2. 大量生産 – 発表後12か月以内、すなわち2029年中頃を目標。

このように、ソフトバンクとインテルはZ‑Angle Memoryの迅速な拡大を図り、将来の高性能システム向けにより手頃で省エネルギーなメモリオプションを提供する意図です