サムスンは競合他社を上回り、2月にHBM4メモリの大量供給を開始します

サムスン電子は初めてHBM4チップを商業生産に投入する

第一の商用供給先：HBM4メモリ
2月中旬 NVIDIA（Vera Rubinプラットフォーム）
* 供給者 – サムスン電子、HBM4チップの出荷を開始する最初のメーカー。

* 発注者 – NVIDIA。メモリは次世代計算プラットフォーム「Vera Rubin」で使用される予定で、AIスーパーコンピュータ向けに設計されたものです。

* 公開発表 – HBM4ベースのアクセラレータはGTC 2026（3月）で披露される見込みです。

技術仕様
パラメータ　値
転送速度　11.7 Gbps（JEDEC標準8 Gbpsより37％高速）
1スタックあたりの帯域幅　3 TB/s
12層構成時の容量　36 GB
16層構成時の可能容量　約48 GB
* チップはJEDEC業界基準を上回るように設計され、6世代目DRAMプロセス（10 nm、1c）と4 nm幅の独自ロジックチップを使用しています。

生産
* 生産拠点 – Pyeongtaek Campus Line 4 工場。

* 改装後、HBM4チップの製造量は月約200,000枚に達し、サムスン全体のDRAM製造能力の約25％を占めます。

市場展望
企業　市場シェア予測
SK hynix ~70 %
Samsung ~30 %
Micron ほぼ存在なし
SemiAnalysis の分析によると、HBM4市場は主に SK hynix と Samsung に分割され、Micron は遅れを取っています。

戦略的意義
過去のHbm世代ではサムスンがSK hynixに劣っていました。HBM4の発売でギャップは縮小するだけでなく、データセンターからのAI処理需要増加を背景に競合を上回る可能性があります。