SK ハイニクスとサンディスクは、HBMとSSDの間に位置する中間メモリであるHigh-Bandwidth Flashの標準化を開始しました

SK HynixとSanDiskは、Open Compute Projectの一環として、新しいメモリレベルであるHigh Bandwidth Flash（HBF）の導入を発表しました。

HBFとは

- ポジショニング
HBFは、超高速メモリHBMと大容量SSDの中間に位置する「ミドル」レイヤーです。
高いスループットを持つHBMと大容量を備えるSSDのギャップを埋め、AIタスクに必要な拡張性とエネルギー効率を両立します。

- アーキテクチャ上の役割
HBMが主要な高速レイヤーであるのに対し、HBFは補助的メモリ層として機能し、全体システムを補完します。

SanDiskの見解

ファーストジェネレーションスタック

- 読み取りスループット：最大1.6 TB/s（256 Gbps/チップ）
- スタック全体容量（16チップ）：最大512 GB
- 物理パラメータ：HBM4のサイズ・消費電力・高さに最適化。AIアクセラレータ用の現行H

BMスタックと同様の統合モデル。

パフォーマンス

内部テストでは、8ビットLlama 3.1 405Bベースの負荷で、HBFは「容量無制限HBM」と比較してわずか2.2 %の差があることを示しました。
※比較対象は仮想的な容量無制限HBMであり、実際の大容量メリットは直接測定されていません。

エネルギー非依存性

HBFは電源オフ時でもデータを保持します。これは、継続的に電力供給が必要なDRAMとは対照的です。

今後の計画（Gen 2・Gen 3）

次のステップ

- 標準化：SK HynixとSanDiskは、HBFをOpen Compute Projectの次なる段階として位置付けています。
- 導入時期：具体的なスケジュールは未定です。

以上より、HBFはHBMの速度とSSDの容量を融合しつつ、エネルギー効率と既存AIアクセラレータとの互換性を保つ「ミドル」メモリ層として期待されています。