日本は、トランジスタのチャネルとしてほぼ完成した1ナノメートル半導体ナノチューブを開発しました

MoS₂の超薄い半導体ナノチューブ作製に関するニュース

*概要:*

日本の研究者は、直径約1 nm（人間の髪の100,000倍の細さ）のモリブデン二硫化物（MoS₂）単層チューブを成功裏に成長させました。これは炭素ではなく無機半導体から得られた初めての例で、すでに全方位ゲート付きトランジスタ（gate‑all‑around）の「チャネル」として利用できる可能性があります。

何が行われたか？
1. 「キャップ」での成長

- 形としてボロンナイトライド（BN）ナノチューブを使用しました。
- BNは絶縁体であり、MoS₂が育つ内部容器として機能します。

2. 合成プロセス

- BNキャップ内での一連の焼成後、ほぼ理想的な単層MoS₂チューブが形成されます。
- 生成された構造は直径約1 nmで、BN絶縁層に包まれた実質的なトランジスタチャネルです。

3. 潜在的応用

- こうしたナノチューブは、全方位ゲートがチャネルを囲むトランジスタの基盤となり得ます。現在、主要なチップメーカーが積極的に開発しています。

重要性は？
チューブタイプ　直径（≈）　多層炭素 10 nm　単層炭素 5 nm　MoS₂チューブ 1 nm
- 薄さ：MoS₂チューブは髪の100,000倍薄く、最も小さい半導体構造の一つです。
- 新たな可能性：研究者は、この手法を他の半導体や超伝導材料にも適用できると主張し、炭素ナノチューブやグラフェンを越えた技術領域を拡大しています。

次のステップ？
*短期目標:*

チューブ長さを約1 nmから1 µm（1,000倍）に伸ばすことで、より長いトランジスタチャネルが必要な実用デバイスで使用可能になります。

結論:

直径1 nmのMoS₂ナノチューブの作製は、半導体部品のミニチュア化への新たな道を開き、将来の高性能マイクロチップの重要要素となる可能性があります。