ハイウエは、先端フラッシュメモリを使用せずに122TBのSSDを製造する方法を開発しました

ハワウェイは西側のチップにアクセスできない状態で、独自の高密度SSDを開発しています

2019年以降、中国の巨人企業ハワウェイ・テクノロジーズは米国制裁下に置かれ、最新のメモリマイクロチップを調達する能力が制限されています。その結果、同社はより低密度だが入手可能な中国製メモリをベースに、大容量SSD（ソリッドステートドライブ）の代替開発路線を模索せざるを得ませんでした。

ハワウェイの制裁回避策
* DoB方式 – 「基板上の結晶」

Blocks&FilesがTrendForceから引用した情報によれば、ハワウェイはDoB技術を用いて122TB容量のSSDを製造しています。従来の3D‑NANDメーカーでは複数層のメモリがチップ内部に積み重ねられるのに対し、DoBはNAND結晶を直接PCB上に配置します。これにより約33％程度のストレージ密度向上が実現されますが、正確な層数は不明です。

* 可能な容量規模

このパッケージングにより、ハワウェイは245TBまでのSSDを製造できるようになり、最新チップへのアクセスなしでも海外競合と同等の容量を提供できます。

現在および将来モデル
| 容量 | 状態 |
|---|---|
| 61.44 TB | 既に販売中（サーバー向け） |
| 122.88 TB | 在庫あり |
| 245 TB | 発売予定 |

問題と対策
* 熱発生の増大 – 高密度パッケージングは熱上昇を招きます。
* 信号品質の低下 – 結晶を基板に直接取り付けることでデータ伝送品質が劣化します。

エネルギー消費と信号損失対策として、ハワウェイはAI機能付きコントローラを導入する計画です。これらのコントローラは「ローカル」で一部計算を実行し、大量データのSSD外への転送ニーズを減少させます。

したがって、制裁にもかかわらずハワウェイは独自のメモリパッケージング技術を開発し、245TBまでの競争力あるSSDを製造できるようにしています。これは西側サプライヤーへの依存度を低減し、サーバーマーケットで新たな可能性を切り拓く解決策です