サムスンはComputex 2026でHBM5スタックのメモリプロトタイプを発表しました

サムスン・エレクトロニクス — HBM5への第一歩

最近、サムスン・エレクトロニクスはHBM4Eメモリサンプルの供給開始を発表しましたが、同時に次世代であるHBM5の開発にも積極的に取り組んでいます。Computex 2025展示会では、HBM5チップの大型モデルのみを披露し、その構造を概観させました。すでに技術は複雑で要求が高いことが分かります。

開発の主な詳細
パラメータ | サムスンの役割 | 基本クリスタル | 2nmプロセスで自社製造 | DRAM層数 | 12〜20（1cクラス技術） | GAAトランジスター | 2nmチップに採用予定 | 1nm未満プロセス | 将来の習得に自信

サムスン・エレクトロニクス部門のテクニカルディレクター、ソン・ジャヘョック（Song Jaehyuk）は、これら技術の開発と導入への参加を確認しました。契約部門があることで、Nvidiaを含む最も厳しい顧客の要求にも対応できます。

HBM4Eとの比較
* HBM4Eは4nm基本クリスタルと1cプロセスでDRAMチップを製造し、メモリースタックを形成します。

* HBM5では次が期待されます：
* より薄いクリスタル（2nm）と柔軟な層数（12〜20）。
* Heat Path Block (HPB) — 効率的な冷却のための熱放散チャンネル。
* 改良されたアーキテクチャによりデータ転送速度が向上。

HPB技術はHBM4Eで既に検証済みで、サムスンは高度な熱放散手法を用いてメモリの安定性を高める計画です。HBM5の量産は2028年から開始され、HBM5EではDRAMクリスタルがより進化した1dプロセスで製造されます。

競合他社の動き
* SKハイニクスは類似の冷却技術iHBMを採用しています。つまり、サムスンの解決策は熱放散面では独自性がないことを意味します。

* SKハイニクスもHBM5に2nmチップを導入し、iHBMを使用した量産を計画しています。

結論
サムスン・エレクトロニクスはすでに2nmプロセスベースのHBM5を開発中で、最大20層のDRAMと革新的な熱放散HPBを備えています。量産は2028年予定で、SKハイニクスなどの競合他社もiHBMと同様のソリューションを採用しています。全体として、サムスンは1nm未満技術の習得に自信を持ち、最大規模の顧客要求にも応える準備が整っています