Kioxiaは、NANDレイヤーの増加を回避して競合他社を迂回する方法を見つけました

キプロスの3D‑NANDメモリ：Kioxiaがリーダーに追いつこうとする方法

*多層メモリ技術は、2007年に東芝によって初めて提案されましたが、現在でも日本メーカーには競争優位性をもたらしていません。レイヤ数の遅れを補うため、同社はシリコンプレートを接続する独自技術「CBA（Chip‑Bonded Array）」を開発しています。*

CBAとは何か、そしてなぜ必要なのか

- 従来のアプローチ
従来型NANDチップでは、制御ロジックがメモリセルと同じ基板上に配置されていました。これにより密度が制限され、レイヤ数が増えるほどコストと製造複雑性が高くなります。

- Kioxiaの新しいアイデア
CBAを使用すると、制御プレートをセルプレートから分離し、微細接点で再結合します。これにより、単一基板上のレイヤ数を増やさずに複数層のメモリを1つの管理プレートに「貼り付ける」ことが可能になります。

- メリット
- レイヤ数を増やさずに容量を拡大
- チップアーキテクチャの柔軟性向上
- 高密度製造コストの削減

市場の現在の数字

Kioxiaは既に「フラッグシップ」製品でCBAを採用していますが、サーバー市場では韓国の大手（Samsung, SK Hynix）に遅れをとり、第三位に留まっています。

将来への意味

- 成長ポテンシャル
CBA技術が高密度を実現しつつコスト増加を抑えられるなら、NANDメモリ市場の力関係を変える可能性があります。

- 鍵となる要因 – 接続精度
大量生産ではプレート位置決めの高精度が不可欠です。アナリストは、この点でKioxiaが競合他社より優れていると指摘しています。

結論

Kioxiaはレイヤ数不足を克服するためにCBAという革新的技術を導入し、NANDチップの容量と速度向上を約束しています。市場全体を完全に覆す結果はまだ出ていませんが、新しいソリューションが固体記憶領域でのリーダーシップ争いを決定づける鍵になるかもしれません。